发明名称 发光元件及其制造方法,以及利用该发光元件的发光器件
摘要 本发明的目的在于提供一种发光元件和发光器件,其中在一对彼此相对设置的电极之间堆叠有多个电致发光层,之间插入电荷发生层,从而其中电荷发生层可通过溅射法形成于电致发光层上而不会损害该电致发生层。对于电致发光层来说,使用了不易被蚀刻的材料作为最靠近在电致发光层上通过溅射法形成的电荷发生层的层。特别是,使用了苯并噁唑衍生物和吡啶衍生物。
申请公布号 CN101673807B 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN200910163835.8 申请日期 2005.04.21
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 中村康男;池田寿雄;坂田淳一郎
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 林毅斌;韦欣华
主权项 1.一种发光元件,包括:第一电极,在所述第一电极上的发光层,在所述发光层上的电荷发生层;以及在所述发光层和所述电荷发生层之间并且与所述电荷发生层相接触的含有吡啶衍生物的层,在所述电荷发生层上的第二电极,其中所述吡啶衍生物以通式(2)表示<img file="FSB00000727483400011.GIF" wi="1315" he="1185" />其中两个X具有相同的结构也可以是不同的结构,并且其中R1到R8各自独立地为氢、卤素、氰基、具有1到10个碳原子的烷基、具有1到10个碳原子的卤代烷基、具有1到10个碳原子的烷氧基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂环基团。
地址 日本神奈川县厚木市