用于PECVD沉积工艺期间包覆屏蔽的系统和方法

摘要

本发明公开了一种用于等离子体增强化学气相沉积的系统和方法。一个实施方式包括工艺腔室；定位在该工艺腔室中的衬底支架，所述衬底支架配置用于支撑衬底，所述衬底上将沉积膜；定位在所述工艺腔室中的天线；部分围绕该天线的游离基护罩，所述游离基护罩具有内部容积；辅助气体入口，所述辅助气体入口定位用于将辅助气体提供给该游离基护罩的内部容积；前体气体入口，所述前体气体入口配置用于将前体气体提供给该工艺腔室的内部；游离基护罩中的至少一个孔，所述孔定位用于使得游离基逃逸出游离基护罩的内部容积并且与前体气体碰撞。

主权项

一种等离子体沉积系统，所述等离子体沉积系统包括：工艺腔室；定位在所述工艺腔室中的衬底支架，所述衬底支架配置用于支撑衬底，所述衬底上将沉积膜；定位在所述工艺腔室中的天线；包围所述天线的保护性护套；部分包围所述保护性护套的电介质包覆护罩，所述电介质包覆护罩具有内部容积；辅助气体入口，所述辅助气体入口定位用于将辅助气体提供给所述电介质包覆护罩的所述内部容积；前体气体入口，所述前体气体入口配置用于将前体气体提供给所述工艺腔室的内部；以及在所述电介质包覆护罩中的至少一个孔，所述孔定位用于使得游离基逃逸出所述电介质包覆护罩的所述内部容积并且与所述前体气体碰撞，其中在所述电介质包覆护罩的所述内部容积内形成的等离子体产生所述游离基。