| 发明名称 | 用于湿化学处理半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于湿化学处理半导体晶片的方法，其包括：a)使半导体晶片旋转；b)将包括直径为100μm或以下的气泡的清洗液施加到旋转半导体晶片上，以便在半导体晶片上形成液体膜；c)使旋转的半导体晶片暴露于具有活性气体的气氛中；d)除去液体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101452824B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200810174958.7 | 申请日期 | 2008.10.28 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | G·施瓦布;C·萨皮尔科;T·布施哈尔特;D·费霍;T·榛原;Y·毛利 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 用于湿化学处理半导体晶片的方法，其包括：a)使半导体晶片旋转；b)将包括直径为100μm或以下且含有氢气的气泡的清洗液施加到旋转半导体晶片上，以便在半导体晶片上形成液体膜；c)使旋转的半导体晶片暴露于具有活性气体的气氛中；d)除去液体膜。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||