发明名称 | 一种金属酞菁纳米线的制备方法 | ||
摘要 | 本发明揭示了一种生长单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线的制备方法,其特征在于包括步骤:I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料,将所述原料取料与衬底一并置入容器中以备加热生长;II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10-2Pa,对所述容器实施加热,使得原料在450℃-500℃下恒温生长20min-60min后随容器冷却至常温,在硅衬底上生长形成单分散的平贴衬底的金属酞菁纳米线。应用本发明方法制备单分散平贴衬底的金属酞菁纳米线,工艺简单易行、成本低,酞菁纳米线与硅衬底接触良好,为进一步研究单晶金属酞菁纳米线的场效应特性提供可能。 | ||
申请公布号 | CN102206863B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
申请号 | CN201110072548.3 | 申请日期 | 2011.03.24 |
申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 刘颖丹;潘革波 |
分类号 | C30B29/54(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/54(2006.01)I |
代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人 | 陈忠辉 |
主权项 | 一种金属酞菁纳米线的制备方法,所述金属酞菁纳米线为单分散、平贴衬底的,其特征在于包括步骤:I、以金属酞菁和三氧化二铝按质量比1∶100研磨混合作为原料,将所述原料取料与硅衬底一并置入容器中以备加热生长;II、在容器中充填惰性保护气体氮气或氩气并保持腔内压强6×10‑2Pa,对所述容器实施加热,使得原料在450℃‑500℃下恒温生长20min‑60min后随容器冷却至常温,在硅衬底上生长形成单分散、平贴衬底的金属酞菁纳米线。 | ||
地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区若水路398号 |