发明名称 介电陶瓷及电容器
摘要 本发明之介电陶瓷系由以钛酸钡为主成分并含有镁及稀土类元素之结晶粒子所构成者,相对于1莫耳的上述构成介电陶瓷之钡,系含有换算为MgO为0.02~0.064莫耳之镁、换算为RE2O3为0.01~0.06莫耳之稀土类元素(RE),上述结晶粒子之结晶构造为立方晶系,且上述结晶粒子之平均粒径为100~145nm。本发明之电容器系该介电陶瓷与导体层层合而成。
申请公布号 TWI367873 申请公布日期 2012.07.11
申请号 TW096127597 申请日期 2007.07.27
申请人 京瓷股份有限公司 日本 发明人 神垣耕世;福田大辅
分类号 C04B35/468;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30 主分类号 C04B35/468
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址 日本