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发明名称
METHOD OF MAKING A SINGLE METAL LAYER, METHOD OF MAKING A WIRING, AND METHOD OF MAKING A FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号
KR101164614(B1)
申请公布日期
2012.07.11
申请号
KR20040068380
申请日期
2004.08.30
申请人
发明人
分类号
H01L21/28;H01L27/088;H01L21/3205;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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