一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法

摘要

一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。

主权项

一种Ge‑Sb‑Te三元相变材料薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将导电基片预处理；2)配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制含有浓度为0.1～20mmol/L的锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节电解质溶液的pH值，在电解质溶液中加入支持电解质；3)配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液：用二氧化碲、三氧化二锑和酸溶液在容量瓶中用超纯水配制Sb3+和Te4+浓度为0.1～20mmol/L的溶液，在Sb3+和Te4+离子电解质溶液中加入酒石酸20～50g作为助溶剂；在Sb3+和Te4+离子电解质溶液中加入支持电解质，调节Sb3+和Te4+离子电解质溶液的pH值；4)恒电位沉积：控制反应电位为‑400～‑1000mV，参比电极为饱和甘汞电极，沉积时间为50～10800s，将导电基片放入Sb3+和Te4+离子电解质溶液中进行电化学沉积反应，在导电玻璃基片上得到锑碲二元薄膜；5)恒电流沉积：控制反应电流为0.2～3mA，参比电极为饱和甘汞电极，沉积时间为50～10800s，将锑碲二元薄膜在Ge4+离子电解质溶液中进行电化学沉积反应，在导电基片上得到Ge‑Sb‑Te三元相变材料薄膜。