发明名称 |
一种花状硫化铜纳米晶的制备方法 |
摘要 |
一种花状硫化铜纳米晶的制备方法,将可溶性铜盐溶于去离子水中得溶液A;向溶液A中加入硫脲得溶液B;向溶液B中加入十六烷基三甲基溴化铵形成前驱物溶液C;将前驱物溶液C倒入微波水热反应釜中,然后密封反应釜,将其放入温压双控微波水热反应仪中,反应结束后自然冷却到室温;打开水热反应釜,产物经过离心收集,然后分别用去离子水,无水乙醇洗涤,干燥得到花状硫化铜纳米晶。本发明通过改变添加表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵的浓度,制备出不同粒径的花状纳米晶,达到对其粒径的可控制备,进而制备出具有不同光电性能的硫化铜半导体材料,本发明制得的CuS粒子是由厚度仅为20-50nm的片状晶组装而成的花状结构,表面积较大,可用于催化领域。 |
申请公布号 |
CN102557107A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201110375909.1 |
申请日期 |
2011.11.23 |
申请人 |
陕西科技大学 |
发明人 |
黄剑锋;齐慧;张培培;曹丽云;吴建鹏 |
分类号 |
C01G3/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G3/12(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种花状硫化铜纳米晶的制备方法,其特征在于:1)将分析纯的可溶性铜盐溶于去离子水中,制成Cu2+浓度为0.01mol/L‑0.5mol/L的透明溶液A;2)向溶液A中加入分析纯的硫脲(SC(NH2)2),使得溶液中Cu2+∶SC(NH2)2的摩尔比为1∶1~3,得溶液B;3)向溶液B中加入分析纯的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),使得溶液中CTAB的浓度为0.001‑0.05mol/L,形成前驱物溶液C;4)将前驱物溶液C倒入微波水热反应釜中,填充度为50%‑80%,然后密封反应釜,将其放入温压双控微波水热反应仪中,选择温控模式或者压控模式反应5min‑30min,反应结束后自然冷却到室温;所述的温控模式的温度为100‑160℃,压控模式的水热压力为0.1‑1Mpa;5)打开水热反应釜,产物经过离心收集,然后分别用去离子水,无水乙醇洗涤,于电热鼓风干燥箱中在40‑80℃干燥得到花状硫化铜纳米晶。 |
地址 |
710021 陕西省西安市未央区大学园 |