发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置。电熔丝电路(3)具有在程序电源(6)与地线(7)之间串联连接地设置的熔丝元件(11)及晶体管(12)、和控制晶体管(12)的栅极电位的控制部(13、14)。程序防止电路(5)在程序电源(6)与地线(7)之间与电熔丝电路(3)并联地设置,并且当在程序电源(6)与地线(7)之间施加浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。 |
申请公布号 |
CN102576690A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201080047136.8 |
申请日期 |
2010.10.22 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
川崎利昭;县泰宏;白滨政则;甲上岁浩;荒井胜也 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
一种半导体装置,其具备:电熔丝电路,其具有:在程序电源与地线之间串联连接地设置的熔丝元件及晶体管、和控制所述晶体管的栅极电位的控制部;和程序防止电路,其在所述程序电源与所述地线之间与所述电熔丝电路并联地设置,并且当在所述程序电源与所述地线之间施加了浪涌时按照流动浪涌电流的一部分的方式构成。 |
地址 |
日本大阪府 |