一种金属栅极的形成方法

摘要

本发明提供了一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅具有侧壁；在所述半导体衬底、伪栅及其侧壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面覆盖形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层以及位于伪栅顶部及其侧壁表面的阻挡层，暴露出所述伪栅，并使得所述牺牲介质层以及阻挡层的顶部低于伪栅顶部；去除所述牺牲介质层；在所述阻挡层以及伪栅的表面覆盖沉积层间介质层；研磨所述层间介质层直至露出伪栅顶部，所述层间介质层表面与伪栅顶部相平齐；去除所述伪栅，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极。本发明能够防止层间介质层表面凹陷的产生，进而解决形成金属栅极的过程中在层间介质层的表面残留金属的问题。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅具有侧壁；在所述半导体衬底、伪栅及其侧壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面覆盖形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层以及位于伪栅顶部及其侧壁表面的阻挡层，暴露出所述伪栅，并使得所述牺牲介质层以及阻挡层的顶部低于伪栅顶部；去除所述牺牲介质层；在所述阻挡层以及伪栅的表面覆盖沉积层间介质层；研磨所述层间介质层直至露出伪栅顶部，所述层间介质层表面与伪栅顶部相平齐；去除所述伪栅，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极。