| 发明名称 | 基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法及基片处理设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法以及基片处理设备。其中，基片加热腔室至少可同时加热2片基片，用于在基片处理工艺之前对基片进行加热。借助该基片加热腔室对基片进行加热能够有效避免后续的基片处理工艺因等待基片加热而处于空闲状态的问题，从而可有效提高设备的产能利用率。此外，本发明提供的使用基片加热腔室的方法及基片处理设备同样能够有效提高设备的产能利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN102560373A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010606908.9 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 夏威 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张天舒;陈源 |
| 主权项 | 一种基片加热腔室，用于在基片处理工艺之前对基片进行加热，其特征在于，所述基片加热腔室至少可同时加热2片基片。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 | ||