| 发明名称 | 薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供TFT特性良好的薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。本发明的薄膜晶体管(TFT108)具有：栅电极(2)；以覆盖栅电极(2)的方式形成的栅极绝缘膜(3)；隔着栅极绝缘膜(3)形成在栅电极(2)上并且具有沟道区域(4b)的半导体层(4)、(5)；与半导体层(4)、(5)连接的区域的至少一部分配置在与栅电极(2)重叠的位置上的源电极(6a)以及漏电极(6b)；第一上部绝缘膜(7)，以覆盖半导体层(4)、(5)、源电极(6a)以及漏电极(6b)的方式形成，与半导体层(4)、(5)的沟道区域(4b)直接接触，利用热处理释放水分；以覆盖第一上部绝缘膜(7)的方式抑制水分扩散的第二上部绝缘膜(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN101267003B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200810085364.9 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 永田一志;中川直纪 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;张志醒 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，具有：栅电极；栅极绝缘膜，以覆盖所述栅电极的方式形成；半导体层，隔着所述栅极绝缘膜形成在所述栅电极上，并具有沟道区域；源电极以及漏电极，与所述半导体层连接的区域的至少一部分配置在与所述栅电极重叠的位置；第一保护膜，以覆盖所述半导体层、所述源电极以及所述漏电极的方式形成，并包含有机SOG材料、有机SOD材料、无机SOG材料、无机SOD材料以及氧化硅中的至少一种，所述有机SOG材料、所述有机SOD材料、所述无机SOG材料、所述无机SOD材料以及所述氧化硅中的任一层与所述半导体层的所述沟道区域直接接触，利用热处理释放水分；以及第二保护膜，以覆盖所述第一保护膜的方式形成，抑制水分扩散。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||