发明名称 |
一种铜铟镓合金及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铜铟镓合金及其制备方法,该合金由Cu51wt%、In39wt%以及In10%组成,且该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。所述方法以高纯度的铜、铟和镓为原料,通过高真空熔炼的方法,获得了铜铟镓合金。本发明的铜铟镓合金纯度高,且配方合理、新颖,可作为溅射靶材或蒸发料,一步镀膜形成CuInGa层,然后再通过硒化或硫化的方法生成CIGS薄膜,并且该铜铟镓合金可通过非常简便的方法获得。本发明的铜铟镓合金的制备方法简单,且获得的铜铟镓合金的成分及组织均匀。 |
申请公布号 |
CN102560186A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210039988.3 |
申请日期 |
2012.02.21 |
申请人 |
苏州晶纯新材料有限公司 |
发明人 |
钟小亮;王广欣;王树森 |
分类号 |
C22C9/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C22C9/00(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
汪青 |
主权项 |
一种铜铟镓合金,其特征在于:该合金由Cu 51wt%、In39wt%以及In10%组成,且杂质元素重量含量满足:Ag<15ppm 、Ni<10ppm 、C<50ppm 、O<600ppm、 Cd<10ppm 、Pb<15ppm 、Co<10ppm 、Sn<25ppm 、Cr<10ppm 、Ti<15ppm 、Fe<10ppm 、V<10ppm、 Hg<10ppm 、Zn<10ppm 、Mn<10ppm、 N<50ppm,该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。 |
地址 |
215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号留学生创业园D-102 |