带有自对准存储元件的多晶硅柱双极晶体管

摘要

本发明提出一种具有自对准于双极接面晶体管存取装置的射极的存储元件的存储单元及此种装置的制造方法。在此所述的储存装置包括多个存储单元。在这些存储单元中的存储单元包含一包括射极的双极接面晶体管(BJT)，该射极包括掺杂的多晶硅柱。这样的存储单元包含一个在射极上的绝缘元件，且绝缘元件具有一个延伸穿过绝缘层的开口，这个开口在射极上的中心。而这些存储单元还包含在开口中的一存储元件，且此一存储元件与上述射极电性相连。

主权项

一种包括多个存储单元的储存装置，在该多个存储单元中的一个存储单元包括：一双极接面晶体管，包括一射极，该射极包括一掺杂多晶硅柱，该掺杂多晶硅柱接触对应的字符线，该掺杂多晶硅柱比该掺杂多晶硅柱下面的字符线部分的掺杂要更高，该掺杂多晶硅柱与字符线在接近界面处定义出一个pn接面；一绝缘元件，位在该射极上并具有延伸穿过该绝缘元件的一开口，该开口位在该射极上的中心；以及一存储元件，位在该开口内并与该射极电性相连。