发光器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种发光器件及其制造方法。所述发光器件包括：化合物半导体结构，包括第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层；第一电极层和第二电极层，设置在所述第二化合物半导体层的顶表面上并分别电连接到所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层；绝缘层，涂覆在除了所述第一电极层和所述第二电极层所位于的部分之外的部分上；导电粘附层，形成在非导电基底的顶表面上并将所述非导电基底连接到所述第一电极层和所述绝缘层；第一电极连接层，形成在所述非导电基底和所述导电粘附层的一个侧表面上并连接到所述导电粘附层；第二电极连接层，形成在所述非导电基底和所述导电粘附层的另一侧表面上，并连接到所述第二电极层。

主权项

一种发光器件，所述发光器件包括：化合物半导体结构，包括第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层；第一电极层和第二电极层，设置在所述第二化合物半导体层的顶表面上并分别电连接到所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层；绝缘层，涂覆在除了所述第一电极层和所述第二电极层所位于的部分之外的部分上；导电粘附层，形成在非导电基底的顶表面上并将所述非导电基底连接到所述第一电极层和所述绝缘层；第一电极连接层，形成在所述非导电基底的一个侧表面和所述导电粘附层的一个侧表面上并连接到所述导电粘附层；第二电极连接层，形成在所述非导电基底的另一侧表面和所述导电粘附层的另一侧表面上，并连接到所述第二电极层。