一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法

摘要

本发明公开了属于真空电子和薄膜制备领域的一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法。该方法首先采用离子注入的方法对W或Mo表面进行改性，然后通过射频磁控溅射在改性后W或Mo表面由内到外依次涂覆Ti过渡层和Au低电阻涂层。本发明采用离子注入的方法处理W或Mo表面，提高Ti与W或Mo的界面浸润性，简化了行波管用螺旋线复合低电阻涂层的制备工艺，缩短了工艺周期，降低了工艺成本，提高了工艺的可控性。

主权项

一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：(1)将切割好的W箔或Mo箔先后在丙酮、酒精、去离子水中进行超声波清洗2～5分钟，干燥后待用；(2)将上述W箔或Mo箔进行电化学抛光，抛光液为H3PO4和C3H8O3体积比为9∶1，抛光电流为70A/dm2，抛光电压为15V，抛光时间为5分钟，抛光温度为25～30℃；(3)将抛光好的W箔或Mo箔用去离子水冲洗，随后在去离子水中超声5分钟，干燥后待用；(4)将经过步骤(3)处理后的W箔或Mo箔放入离子注入设备样品台上，装上Ti靶，然后抽真空至小于7.0×10‑4Pa，打开离子注入源，调节离子注入能量至10000～400000V，调节离子束流强度至1～100mA，离子注入计量1.0×1016～1.0×1018个原子/cm2，开挡板，当离子注入计量达到约定值时，关挡板，关离子源，待样品温度降至100℃以内，关真空系统；(5)将经过离子注入改性后的W箔或Mo箔放入腔体样品台上，装上Ti靶，然后抽真空至小于3.0×10‑3Pa，基片加热到800℃，随后通入氩气，将气压调至0.5Pa，开溅射，将溅射功率缓慢增加至120W，辉光稳定后，移开挡板，沉积15分钟，随后关挡板，关溅射，待样品温度降至100℃以内，关真空系统；(6)将Au靶装上靶托，然后抽真空至小于3.0×10‑3Pa，基片加热到500℃，随后通入氩气，将气压调至0.5Pa，开溅射，将溅射功率缓慢增加至60W，辉光稳定后，移开挡板，开始沉积，沉积20分钟后，关溅射，关挡板，断开Ar，待温度降至100℃以内，关真空系统。