| 发明名称 | 具有屏蔽栅的VDMOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有屏蔽栅的VDMOS器件，为在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，屏蔽栅的两边叠加在位于其两边的VDMOS器件的控制栅上，该屏蔽栅与控制栅和漂移区之间均通过绝缘层隔离。采用本发明的结构，能有效降低器件的米勒电容，降低开关功耗并提高开关的速度。本发明还公开一种具有屏蔽栅的VDMOS器件的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102569386A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010595417.9 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;缪进征;李陆萍 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种具有屏蔽栅的VDMOS器件，其特征在于：在VDMOS器件的漂移区上设置有屏蔽栅，所述屏蔽栅的两边分别叠加设置在位于其两边的VDMOS器件的控制栅上，该屏蔽栅与所述控制栅和所述漂移区之间均通过绝缘层隔离。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||