发明名称 |
画素结构及其制造方法 |
摘要 |
一种画素结构的制造方法,包括下列步骤。于一基板上形成一第一介电层,其中第一介电层具有一栅极开口。于基板上形成一栅极与一下电极,栅极位于栅极开口处,下电极位于第一介电层上。形成一第二介电层,覆盖第一介电层、栅极与下电极。于第二介电层上形成一通道、一上电极、一源极与一漏极,其中通道位于源极与漏极之间且位于栅极上方,上电极位于下电极上方。形成与漏极电性连接的一画素电极。一种画素结构也被提出。 |
申请公布号 |
CN102569193A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210063485.X |
申请日期 |
2012.03.12 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
彭彦毓 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭蔚 |
主权项 |
一种画素结构的制造方法,包括:于一基板上形成一第一介电层,其中该第一介电层具有一栅极开口;于该基板上形成一栅极与一下电极,该栅极位于该栅极开口处,该下电极位于该第一介电层上;形成一第二介电层,其中该第二介电层覆盖该第一介电层、该栅极与该下电极;于该第二介电层上形成一通道、一上电极、一源极与一漏极,其中该通道位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方,该上电极位于该下电极上方;以及形成与该漏极电性连接的一画素电极。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |