发明名称 |
功率MOS接触孔的制造方法 |
摘要 |
本发明提出一种功率MOS接触孔的制造方法,所述接触孔为圆孔,该方法包括如下步骤:S1,准备半导体衬底,所述半导体衬底上已经形成功率MOS;S2,在所述半导体衬底上沉积介质层;S3,在介质层上沉积硬掩模层;S4,对所述硬掩模层进行图案化,以图案化的硬掩膜层为掩模刻蚀介质层,在介质层中形成通孔,并以图案化的硬掩膜层为掩模对半导体衬底进行离子注入;S5,对上述半导体衬底进行退火工艺;S6,在通孔内进行导电材料的填充,形成接触孔。本发明能够得到平直的通孔侧壁,消除通孔顶部凹缩现象,同时工艺窗口、介质层厚度不受影响,确保产品良率。 |
申请公布号 |
CN102569180A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210030429.6 |
申请日期 |
2012.02.10 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
刘宪周;张怡 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种功率MOS接触孔的制造方法,所述接触孔为圆孔,该方法包括如下步骤:S1,准备半导体衬底,所述半导体衬底上已经形成功率MOS;S2,在所述半导体衬底上沉积介质层;S3,在介质层上沉积硬掩模层;S4,对所述硬掩模层进行图案化,以图案化的硬掩膜层为掩模刻蚀介质层,在介质层中形成通孔,并以图案化的硬掩膜层为掩模对半导体衬底进行离子注入;S5,对上述半导体衬底进行退火工艺;S6,在通孔内进行导电材料的填充,形成接触孔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |