一种高热导率多层SiC单晶微波衰减材料及其制备方法

摘要

一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10-3Ωm～101Ωm，高电阻率SiC层的热导率为250-410W/m·K。本发明采用PVT法，通过在晶体生长过程中周期性地通入不同的气氛，形成交替复合的高电阻率SiC层与高损耗SiC层，高电阻率SiC层作为导热层能将高损耗SiC层吸收微波所产生的热量迅速传递出去，而高损耗SiC层可通过控制生长过程中载气中N2的比例来调整SiC单晶的电阻值，达到在微波频段衰减电磁波的目的。

主权项

一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，其特征在于，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10‑3Ωm～101Ωm。