氧传感器芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种片状氧传感器芯片的制造方法，包括如下步骤：在氧化锆粉末中加入松油醇、石蜡混合形成固体状态的氧化锆混合料；再将固体状态的氧化锆混合料压制成薄片状氧化锆胚体；将氧化锆胚体切割成所需要的片状氧化锆基体，自然冷却成型；在冷却后的氧化锆基体两侧分别均匀涂制加热棒用铂浆层和机体外电极用铂浆层，再压制成整体的片状基体；将片状基体放入氧化锆粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷却后去除电极部分处的氧化锆粉末；再将毛坯脱脂、烧结成型氧传感器芯片。本发明通过降低氧化锆基体内的孔隙率，从而增加氧化锆基体的密度，加强氧化锆基体的强度和硬度，使氧化锆芯的响应时间加快，并且降低了氧化锆芯的能耗。

主权项

一种片状氧传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：A、将氧化锆粉末在120~180度下加入松油醇、石蜡混合形成固体状态的氧化锆混合料，氧化锆粉末、松油醇和石蜡的摩尔配比为70~80：10~20：20~30；B、再将固体状态的氧化锆混合料压制成薄片状氧化锆胚体；C、将氧化锆胚体切割成所需要的片状氧化锆基体，自然冷却成型；D、在冷却后的氧化锆基体两侧分别均匀涂制加热棒用铂浆层和机体外电极用铂浆层，再压制成整体的片状基体；E、将片状基体放入氧化锆粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷却后去除电极部分处的氧化锆粉末；F、再将毛坯脱脂、烧结成型氧传感器芯片。