发明名称 |
一种锑化镓晶片双面抛光方法 |
摘要 |
一种锑化镓晶片双面抛光方法,它包括以下步骤:晶片测厚分组;晶片初次清洗;粘片;背面抛光;卸片;粘片及正面抛光;晶片二次清洗;将经过双面抛光的晶片放在用清洗液和纯水配制成体积比1∶(3~10)的溶液中用超声波清洗,清洗温度为50~100℃,清洗时间为10~30分钟,而后用纯水冲洗;化学腐蚀:用CH3COOH、H2O、HF以体积比(10~30)∶(5~15)∶1的比例配制成腐蚀液;检验包装。采用本方法可批量加工锑化镓(100)双面抛光片,方法简单实用,可操作性强,抛光成品率达到90%。同时缓解了锑化镓晶片抛光后氧化的问题。通过该方法抛光所得锑化镓抛光晶片翘曲度不大于20μm,晶面平整度不大于4μm,表面粗糙度达到0.1~0.2μm,晶片总厚度变化不大于5μm,抛光片未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。 |
申请公布号 |
CN102554750A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010622620.0 |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司 |
发明人 |
李超;林泉;郑安生;龙彪;马锦伟 |
分类号 |
B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
B24B29/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
郭佩兰 |
主权项 |
一种锑化镓晶片双面抛光方法,其特征在于:它包括以下步骤:1).晶片测厚分组:将合格晶片以5~10μm的厚度差为分档线分档;2).晶片初次清洗:用纯水、H2O2和NH4OH配制成体积比为(5~40)∶(1~2)∶(1~5)的腐蚀液,加热至20~50℃,把晶片放入腐蚀液中腐蚀5~60秒,腐蚀后用纯水冲洗,并吸干水迹;3).粘片:在抛光盘表面温度在20~60℃时进行粘片。4).背面抛光:用纯水、抛光剂和次氯酸钠以体积比(50~100)∶(1~10)∶(1~10)的比例配制成抛光液;5).卸片;6).粘片及正面抛光;7).晶片二次清洗:将经过双面抛光的晶片放在用清洗液和纯水配制成体积比1∶(3~10)的溶液中用超声波清洗,设置清洗温度为50~100℃,清洗时间为10~30分钟,而后用纯水冲洗;8).化学腐蚀:用CH3COOH、H2O、HF以体积比(10~30)∶(5~15)∶1的比例配制成腐蚀液,将晶片置于腐蚀液中;9).检验包装。 |
地址 |
100088 北京市新街口外大街2号 |