三极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三极管，包括：衬底，由硅材料构成；集电区层，为在衬底上进行形成的集电区硅晶体；半导体本征基区层，为硅衬底上外延生长的半导体本征锗硅晶体；抬高非本征基区，为在半导体本征基区层上形成的抬高非本征基区层，由重掺杂的多晶硅构成；发射区，为在半导体本征基区层上面形成的发射区层，由多晶硅构成；异质结，半导体本征基区层锗硅晶体与发射区多晶硅以及抬高非本征基区的多晶硅之间形成异质结。本发明还公开了一种上述三极管的制造方法。本发明可以同时从三极管的基区宽度、基区电阻、特别是基极-集电极电容等方面改善三极管器件的速度和性能。

主权项

一种三极管，其特征在于，包括以下部分：衬底，由硅材料构成；集电区层，为在衬底上进行掺杂形成的集电区硅晶体；半导体本征基区层，为硅衬底上外延生长的半导体本征锗硅晶体；抬高非本征基区，为在半导体本征基区层上形成的抬高非本征基区层，由重掺杂的多晶硅构成；发射区，为在半导体本征基区层上面形成的发射区层，由多晶硅构成；异质结，半导体本征基区层锗硅晶体与发射区多晶硅以及抬高非本征基区的多晶硅之间形成异质结。