| 发明名称 | 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池结构 | ||
| 摘要 | 一种太阳能电池结构，其特征在于包括：硅衬底，其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面；包括多晶硅的P型掺杂区域和N型掺杂区域，其中P型掺杂区域和N型掺杂区域在一个位置上物理分开，而在另一个位置上相互接触以形成对接结；第一电介质层，其处于衬底上以及P型掺杂区域和N型掺杂区域中的每一个的下面；第二电介质层，在P型掺杂区域和N掺杂区域上形成。 | ||
| 申请公布号 | CN202307920U | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200990100312.2 | 申请日期 | 2009.04.29 |
| 申请人 | 太阳能公司 | 发明人 | 丹尼斯·德塞斯特;彼得·约翰·卡曾斯;戴维·D·史密斯 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 太阳能电池结构，其特征在于包括：硅衬底，其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面；包括多晶硅的P型掺杂区域和N型掺杂区域，其中P型掺杂区域和N型掺杂区域在一个位置上物理分开，而在另一个位置上相互接触以形成对接结；第一电介质层，其处于衬底上以及P型掺杂区域和N型掺杂区域中的每一个的下面；第二电介质层，在P型掺杂区域和N掺杂区域上形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||