发明名称 |
一种电流镜电路 |
摘要 |
本实用新型涉及一种电流镜电路。该电流镜电路包括:电流输入端;偏置端;电流输出端;可变电阻,可变电阻的第一端接电流输入端,第三端接偏置端;第一NMOS管,第一NMOS管的漏极接可变电阻的第二端;第二NMOS管,第二NMOS管的漏极接第一NMOS管的源极,源极接地;第三NMOS管,第三NMOS管的栅极接第二NMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极,源极接地;第四NMOS管,第四NMOS管的栅极接第一NMOS管的栅极和可变电阻的第一端,源极接第三NMOS管的漏极,漏极接电流输出端。本实用新型的电流镜电路,在输入电流变化时,可以通过可变电阻调节自偏置电阻上的压降,避免由于MOS管进入线性区而导致镜像电流精度降低,从而能够满足宽输入输出电流的应用需求。 |
申请公布号 |
CN202306379U |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201120427820.0 |
申请日期 |
2011.11.02 |
申请人 |
国民技术股份有限公司 |
发明人 |
曾军 |
分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种电流镜电路,其特征在于, 包括:电流输入端;偏置端;电流输出端;可变电阻,所述可变电阻的第一端接所述电流输入端,第三端接所述偏置端;第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极接所述可变电阻的第二端;第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极接所述第一NMOS管的源极,源极接地;第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极,源极接地;第四NMOS管,所述第四NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和所述可变电阻的第一端,源极接所述第三NMOS管的漏极,漏极接所述电流输出端。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302 |