切割半导体结构的方法

摘要

本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光切割，以形成切口。切口延伸至半导体衬底中，并且将保护层形成为覆盖部分切口。穿过保护层的部分和衬底，进行机械切割，以将第一芯片区域和第二芯片区域分离。

主权项

一种方法，包括：在半导体衬底上方提供器件层，所述器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域、以及位于所述第一芯片区域和所述第二芯片区域之间的划线区域；在所述器件层上方形成保护层；对所述划线区域上的所述保护层进行激光切割，以形成切口(123)，所述切口延伸至所述衬底中，并且由所述保护层的一部分填充；穿过所述保护层的所述一部分和所述半导体衬底进行机械切割，以将所述第一芯片区域和所述第二芯片区域分离。