一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池

摘要

一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池，包括衬底、Mo背电极层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌(i-ZnO)层、掺杂氧化锌(ZnO:Al)窗口层和前电极镍铝，在衬底与Mo背电极层之间设置AlN薄膜层，金属衬底时AlN薄膜层作为电绝缘杂质阻挡层，玻璃衬底时AlN薄膜层作为杂质阻挡和应力过渡层，聚合物衬底时AlN薄膜层作为热缓冲层。本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备氮化铝(AlN)薄膜作为衬底的杂质阻挡层或电绝缘层，即使在较高衬底温度下制备太阳电池，也能够对金属原子具有很好的阻挡效果且保持其绝缘特性，为制造内联式金属箔衬底薄膜太阳电池提供了先决条件。

主权项

一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池，包括衬底、Mo背电极层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌(i‑ZnO)层、掺杂氧化锌(ZnO:Al)窗口层和前电极镍铝(Ni‑Al)，其特征在于：在衬底与Mo背电极层之间设置AlN薄膜层，所述衬底为金属、玻璃或聚合物，金属衬底时AlN薄膜层作为电绝缘杂质阻挡层，玻璃衬底时AlN薄膜层作为杂质阻挡和应力过渡层，聚合物衬底时AlN薄膜层作为热缓冲层。