一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法

摘要

本发明提出了一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括漏极，外延层，埋层，源极，栅介质，栅极，源极金属层和漏极金属层。本发明隧穿晶体管能够提高器件在关态下的耐击穿能力，降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，提高器件散热能力，优化器件在大电流下的特性。本发明的制备方法在漏极之上制备低掺杂或本征的外延层，能够降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，其在靠近源极制备非重掺杂的p区以及靠近漏极制备非重掺杂的n区，能够提高器件在关态下的耐击穿能力。

主权项

一种耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底及其上形成的漏极，所述漏极为重掺杂；外延层，所述外延层形成在所述漏极之上，在所述外延层内形成有隔离区；埋层，所述埋层形成于所述外延层内，所述埋层的掺杂类型与所述漏极的掺杂类型相反，所述埋层为轻掺杂；源极，所述源极形成于所述埋层内且暴露于所述外延层的上表面，所述源极的掺杂类型与所述漏极的掺杂类型相反，所述源极为重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成于所述外延层之上，所述栅极形成于所述栅介质之上；源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层形成于所述源极之上，所述漏极金属层形成于漏极之下。