| 发明名称 | 硅基底中槽的形成 | ||
| 摘要 | 形成穿过硅基底(12)的第一侧(21)到达硅基底(12)的第二侧的槽(18)。激光图案化沟(15)。沟(15)在硅基底(12)的第一侧(21)具有开口。沟(15)未到达硅基底(12)的第二侧。对沟(15)进行干法蚀刻直到沟(15)的至少一部分的深度近似地延伸至硅基底(12)的第二侧。执行湿法蚀刻以完成槽(18)的形成。所述湿法蚀刻从沟(15)的所有表面对硅进行蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101836283B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200880112369.4 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | S·K·科梅拉;S·博米克;R·J·奥拉姆;S·拉马摩尔蒂;D·M·布劳恩 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种形成穿过硅基底(12)的第一侧(21)到达所述硅基底(12)的第二侧的槽(18)的方法，该方法包括：在所述硅基底的所述第一侧上形成湿法蚀刻掩模；在槽区域上去除所述湿法蚀刻掩模；在所述湿法蚀刻掩模和暴露的槽区域上形成干法蚀刻掩模；激光图案化沟(15)，所述沟(15)在所述硅基底(12)的第一侧(21)具有开口并且所述沟(15)未到达所述硅基底(12)的第二侧；对所述沟(15)进行干法蚀刻直到所述沟(15)的至少一部分的深度近似地延伸至所述硅基底(12)的第二侧；以及执行湿法蚀刻以完成所述槽(18)的形成，所述湿法蚀刻从所述沟(15)的所有表面对硅进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||