| 发明名称 | 异质晶体半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 异质晶体半导体器件100及其制作方法200包括非单晶半导体层110、140和纳米结构层120，纳米结构层120包括与非单晶半导体层110、140的微晶体112成为一体的单晶半导体纳米结构122、124。 | ||
| 申请公布号 | CN101622691B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200880006770.X | 申请日期 | 2008.02.28 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | N·科巴亚施;S·-Y·王 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 一种异质晶体半导体器件(100)，包括：具有第一能带间隙的第一非单晶半导体材料的第一层(110)；具有第二能带间隙的第二非单晶半导体材料的第二层(140)；纳米结构层(120)，其包括具有第三能带间隙的单晶半导体材料的纳米结构(122、124)，该纳米结构层(120)的纳米结构(122、124)与所述第一层(110)和所述第二层(140)之一中的微晶体(112)成为一体，其中所述纳米结构层(120)位于所述第一层(110)和所述第二层(140)之间；以及到所述第一层(110)和所述第二层(140)的分离电接触(160a、160b)，所述纳米结构(122、124)可通过所述分离电接触(160a、160b)电访问。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||