发明名称 |
带扩散解离区域的等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明涉及一种带扩散解离区域的等离子体处理装置,用于生成引入气体的电感耦合等离子体与基片反应,其包含真空的处理腔室;设置在处理腔室的顶板上方且与处理腔室贯通连接的进气通道;进气通道上设第一线圈,在进气通道中接收第一线圈能量产生等离子体;处理腔室的顶板上设第二线圈,通入处理腔室的反应气体接收第二线圈能量产生等离子体。由于设置第一、第二线圈,使等离子体气体分子先后在第一、第二扩散解离区域经过两次电子轰击,被充分解离;更将垂直贯通的进气通道加宽加长,并在底部设为倒漏斗或喇叭状,且与基片对应设置,使经过轰击解离的等离子体,能被快速引到基片表面,增加基片表面的等离子体密度均匀性,以缩短处理反应的时间。 |
申请公布号 |
CN101789354B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010110260.6 |
申请日期 |
2010.02.11 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
倪图强 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
徐雯琼 |
主权项 |
一种带扩散解离区域的等离子体处理装置,用于生成引入气体的电感耦合等离子体与基片(50)反应,其特征在于,包含:真空的处理腔室(10);设置在处理腔室(10)的顶板(111,112,113)上方且与处理腔室(10)贯通连接的进气通道;所述进气通道上设置有第一线圈(31),通入的反应气体在所述进气通道(201,202,203)中接收第一线圈的能量产生第一等离子体;所述第一等离子体沿进气通道被引入处理腔室(10);所述处理腔室(10)的顶板(111,112,113)上围绕该进气通道设置有第二线圈(32),通入处理腔室(10)的反应气体接收第二线圈的能量产生第二等离子体。 |
地址 |
201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |