发明名称 发光二极管
摘要 本发明涉及一种发光二极管。其中,基板的外围部分提供有第一外缘和第二外缘。第一外缘配置在其上安装发光二极管元件的基板第一上表面的边缘部分上。第二外缘形成在连接发光二极管元件发光面的边缘和第一外缘的假想线的延长线上或延长线之内。第二外缘位于第一外缘阻挡来自发光二极管元件的直射光的位置上。这种结构防止了配置在第一外缘和第二外缘之间的基板的第二上表面由于直射光而变劣。
申请公布号 CN101459166B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200810184634.1 申请日期 2008.12.11
申请人 西铁城电子股份有限公司 发明人 大石和
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 屠长存
主权项 一种发光二极管,包括:基板,具有:第一上表面,至少一对电极形成在该第一上表面上;邻近该第一上表面的第二上表面;位于该第一上表面和该第二上表面之间且全部配置在该第一上表面的外围部分上的第一外缘;以及当从上面看时位于该第一外缘的外侧且全部配置在该基板的该第二上表面的外围部分上的第二外缘;至少一个发光二极管元件,安装在该基板的该第一上表面上并电连接所述电极;以及密封树脂,配置在该基板的第一上表面和第二上表面上以封装该发光二极管元件;该发光二极管元件具有发光面,并且相对于连接该发光面的边缘和该基板的第一外缘的假想线的延长线来配置该第二外缘,其中该第二外缘位于该延长线之内。
地址 日本山梨县