一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法

摘要

本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层；(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层；(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀释至合适浓度作为ITO的前驱体；(4)在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球，然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充ITO的前驱体溶液；(5)将带ITO前驱体溶液的外延片120℃干燥1小时，在500℃煅烧30分钟，自然降至室温；(6)经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；(7)制作出P电极和N电极；(8)将衬底减薄，解理后形成单个芯片。本发明制备的LED出光率能提高50％左右，具有成本低、工艺简单的特点，适合规模化生产。

主权项

一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N‑GaN层、多量子阱有源区和P‑GaN层，形成GaN基LED的材料外延片；(2)在步骤(1)生长的P‑GaN外延层上生长沉积氧化铟锡薄膜层，作为P型透明导电层；(3)将氧化铟锡的靶材溶于盐酸溶液作为氧化铟锡的前驱体，然后用水稀释至合适的浓度，其中氧化铟锡前驱体溶液的质量百分浓度为1％‑‑10％；(4)在生长沉积了氧化铟锡薄膜的外延片上铺一层单层的聚苯乙烯球，然后在聚苯乙烯球单层膜和氧化铟锡层之间的空隙填充稀释后的氧化铟锡的前驱体溶液；(5)将带氧化铟锡前驱体溶液的外延片置于烘箱中，120℃干燥1小时，然后转移到马弗炉中，升温至500℃，煅烧30分钟，自然降至室温；经过高温反应后，氧化铟锡的前驱体会转变成氧化铟锡的碗状周期排列结构，即光子晶体结构；(6)经光刻、腐蚀氧化铟锡和ICP干法刻蚀，使N‑GaN层暴露；(7)分别在氧化铟锡光子晶体层和暴露的N‑GaN上制作出P电极和N电极，再进行合金化；(8)将衬底减薄，解理后形成单个芯片，完成器件的制作。