| 发明名称 | 用于祛除金属互连结构集成电路器件的杂质污染的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于祛除金属互连结构集成电路器件的杂质污染的方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有若干沟槽，在所述衬底表面和所述沟槽表面形成有衬垫层；沉积导体层，所述导体层填充所述沟槽；对所述导体层和所述衬垫层进行化学机械研磨直至将沟槽外的导体层和衬垫层全部祛除；还包括以下步骤：对所述衬底进行加热，以蒸发表面杂质、使杂质聚集成油粒；沉积形成覆盖层；对所述覆盖层进行研磨，直至将所述覆盖层全部祛除；沉积形成阻挡层。本发明在研磨过程中有效去除油粒，新的研磨过程与所述导体层接触时间非常短，故不会造成新的污染，从而避免了化学机械研磨对导电层的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN102543842A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010610202.X | 申请日期 | 2010.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李佩;杨涛 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种用于祛除金属互连结构集成电路器件的杂质污染的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有若干沟槽，在所述衬底表面和所述沟槽表面形成有衬垫层；沉积导体层，所述导体层填充所述沟槽；对所述导体层和所述衬垫层进行化学机械研磨，直至将沟槽外的导体层和衬垫层全部祛除；对所述衬底进行加热，以蒸发研磨杂质、使所述研磨杂质聚集成油粒；沉积形成覆盖层；对所述覆盖层进行研磨，直至将所述覆盖层全部祛除；淀积形成阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||