| 发明名称 | 等离子体处理装置及等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备：保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101521980B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910005390.0 | 申请日期 | 2009.02.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松本直树;吉川润;西塚哲也;佐佐木胜 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高少蔚;李伟 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，具备：处理容器，在其内部对待处理基板进行等离子体处理；反应气体供给单元，向所述处理容器内供给等离子体处理用的具有解离性的反应气体；保持台，被配置于所述处理容器内，在其上保持所述待处理基板；微波发生器，产生等离子体激发用的微波；电介质板，被配置于与所述保持台相面对的位置，将微波导入所述处理容器内；等离子体点火单元，在利用被导入的微波在所述处理容器内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在所述处理容器内产生等离子体；以及控制单元，进行如下控制：将所述保持台与所述电介质板的间隔变更为第一间隔，使所述等离子体点火单元动作，将所述保持台与所述电介质板的间隔变更为小于所述第一间隔的第二间隔，对所述待处理基板进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||