一种快速表征相变材料及介质层的方法

摘要

本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；在所述相变材料上制备顶层接触电极；在所得结构表面制备顶层绝热保护层；采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触，从而完成材料电学性能的测试表征。本发明的测试方法工艺步骤简单，利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部，从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。

主权项

一种快速表征相变材料及介质层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，在硅片上制备底层介质层；步骤二，在所述底层介质层上制备底层电极；步骤三，在底层电极上制备电介质层；步骤四，在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；步骤五，在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；步骤六，在所述相变材料上制备顶层接触电极；步骤七，在步骤六所得结构表面制备顶层绝热保护层；步骤八，采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触，从而完成材料电学性能的测试表征。