| 发明名称 | 薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种薄膜晶体管(TFT)、其制造方法及有机发光二极管(OLED)显示装置。所述TFT包括：基板；布置在所述基板上的多晶硅(poly-Si)半导体层，包括：源区、漏区和沟道区，结晶诱导金属，布置在所述半导体层的相对边缘上的第一吸除部位，以及与所述第一吸除部位分隔开的第二吸除部位；布置在所述半导体层上的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的栅极；布置在所述栅极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且电连接至所述半导体层的源区和漏区的源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN101630693B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200910159484.3 | 申请日期 | 2009.07.14 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 罗正云;宋志强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的多晶硅半导体层，包括：源区，漏区，沟道区，结晶诱导金属，位于所述多晶硅半导体层的相对边缘中的第一吸除部位，以及与所述第一吸除部位分隔开的第二吸除部位；布置在所述多晶硅半导体层上的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的栅极；布置在所述栅极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且分别在所述第一吸除部位处电连接至所述多晶硅半导体层的所述源区和所述漏区的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||