发明名称 没有静电放电电压的耐高输入电压的输入/输出电路
摘要 耐高输入电压的输入/输出电路包括焊点、用于钳位施加到该焊点的高压以产生钳位信号的钳位电路和响应该钳位信号将焊点接收的输入信号传送给内部电路并将该内部电路的数据输出给该焊点的缓冲单元。缓冲单元包括堆叠NMOS晶体管。当高于电源的高压被施加到焊点上时,堆叠NMOS晶体管导通,并且避免该堆叠NMOS晶体管被高压损坏。当静电放电电压被施加到焊点时,堆叠NMOS晶体管截止,并且避免该堆叠NMOS晶体管被静电放电电流损坏。
申请公布号 CN1822501B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200610004412.8 申请日期 2006.02.10
申请人 三星电子株式会社 发明人 权奉载
分类号 H03K19/0185(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 吕晓章;李晓舒
主权项 一种输入/输出电路,包括:焊点;缓冲单元,包括:第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,并联在电源电压和所述焊点之间,用于经过第一和第二PMOS晶体管的栅极接收第一内部信号;第一NMOS晶体管,其漏极被连接到所述焊点,其栅极被连接到钳位信号;第二NMOS晶体管,其漏极被连接到第一NMOS晶体管的源极,其栅极和源极中的每一个都被连接到参考电压电平;以及第三NMOS晶体管,其漏极被连接到第一NMOS晶体管的源极,其栅极被连接到第二内部信号和其源极被连接到所述参考电压电平;以及钳位电路,连接到缓冲单元和电源电压,并产生钳位信号,从而当高于电源电压的高电压被施加到焊点时,第一NMOS晶体管被导通而避免被高电压损毁,以及当静电放电电压被施加到焊点时,第一NMOS晶体管被截止而避免被静电放电电压损毁。
地址 韩国京畿道