离子注入方法

摘要

本发明公开了一种离子注入方法，在该方法中，将沿一直线路径出射的离子束中的高能离子束以一预设入射角度注入一工件，其中该工件处于该直线路径上的一预设工位处，并且通过电效应或磁效应，使该离子束中的低能离子束进行至少一次偏转，并相对于该预设工位调整该工件的位置和/或角度，以使该低能离子束以该预设入射角度注入该工件，且该低能离子束与该高能离子束在该工件上的注入位置一致。该方法不在变速转弯区域之前进行束流路径调整，降低了束流调节的难度，更好地保持了束流的光学特性，确保了离子束具有良好的稳定性，更加便于对束流进行控制，并能极大地缩短束流切换路径所消耗的调整时间，提高了束流的利用效率。

主权项

一种离子注入方法，在该方法中，将沿一直线路径出射的离子束中的高能离子束以一预设入射角度注入一工件，其中该工件处于该直线路径上的一预设工位处，其特征在于，通过电效应或磁效应，使该离子束中的低能离子束进行至少一次偏转，并相对于该预设工位调整该工件的位置和/或角度，以使该低能离子束以该预设入射角度注入该工件，且该低能离子束与该高能离子束在该工件上的注入位置一致，在使该低能离子束进行偏转的同时使其加速或减速，使该低能离子束在进行偏转的同时加速或减速的区域为一变速转弯区域，直到进入该变速转弯区域内才使该低能离子束进行偏转。