一种改善W-CMP后表面平坦性的制造方法

摘要

本发明公开了一种改善W-CMP后平坦性的制造方法，通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔和冗余图形，所述冗余图形的深度小于所述接触孔的深度，随后形成钨金属层，并利用钨化学机械抛光工艺去除金属前绝缘介质层上的钨金属层，以在接触孔中形成钨金属接触层，并在冗余图形中形成冗余金属层。这样既避免了冗余金属层连接到闸极和有源区的金属硅化物而造成对器件特性的不利影响，又利用冗余图形的插入，减少各区域金属密度差，改善了W-CMP后表面平坦性，避免后续形成铜互连时产生金属残留和缺陷。

主权项

一种改善W‑CMP后平坦性的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有器件；在所述衬底上形成金属前绝缘介质层；通过两次光刻和刻蚀工艺形成接触孔和冗余图形，所述接触孔贯穿所述金属前绝缘介质层，所述冗余图形的深度小于所述接触孔的深度；在所述金属前绝缘介质层上以及接触孔和冗余图形中形成钨金属层；进行钨化学机械抛光工艺，以去除所述金属前绝缘介质层上的钨金属层，在所述接触孔中形成钨金属接触层，并在所述冗余图形中形成冗余金属层。