发明名称 利用变化电场雪崩LED的全硅750nm基于CMOS的光通信系统
摘要 提供了一种光通信系统,其包括:基于硅的光发射器件,其通过雪崩载流子倍增来运行并在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光;低损耗光波导,其在850nm的硅的阈值波长探测范围以运行;以及一个光探测器,其中,一个完整的全硅光通信系统被形成,其能够借助于光强度变化传输电信号,这种强度然后被传播通过所述波导并被所述光学探测器探测;并被转换回电信号。在系统的特殊操作模式中,波长调制可被获得。在其他的应用当中,转发操作和光放大可被获得。
申请公布号 CN102549777A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201080036173.9 申请日期 2010.06.15
申请人 茨瓦内科技大学 发明人 卢卡斯·威廉·斯尼曼
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01L33/34(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;H04B10/12(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 代理人 黄泽雄
主权项 一种光通信系统,包括:基于硅的光发射器件,其通过雪崩载流子倍增来运行并在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光;低损耗光波导,其在850nm的硅的阈值波长探测范围以运行;以及一个光探测器,其中,一个完整的全硅光通信系统被形成,其能够借助于光强度变化传输电信号,这种强度然后被传播通过所述波导并被所述光学探测器探测;并被转换回电信号。
地址 南非比勒陀利亚