发明名称 |
利用变化电场雪崩LED的全硅750nm基于CMOS的光通信系统 |
摘要 |
提供了一种光通信系统,其包括:基于硅的光发射器件,其通过雪崩载流子倍增来运行并在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光;低损耗光波导,其在850nm的硅的阈值波长探测范围以运行;以及一个光探测器,其中,一个完整的全硅光通信系统被形成,其能够借助于光强度变化传输电信号,这种强度然后被传播通过所述波导并被所述光学探测器探测;并被转换回电信号。在系统的特殊操作模式中,波长调制可被获得。在其他的应用当中,转发操作和光放大可被获得。 |
申请公布号 |
CN102549777A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201080036173.9 |
申请日期 |
2010.06.15 |
申请人 |
茨瓦内科技大学 |
发明人 |
卢卡斯·威廉·斯尼曼 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L33/34(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;H04B10/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 |
代理人 |
黄泽雄 |
主权项 |
一种光通信系统,包括:基于硅的光发射器件,其通过雪崩载流子倍增来运行并在850nm的硅的阈值波长探测范围以下发射光;低损耗光波导,其在850nm的硅的阈值波长探测范围以运行;以及一个光探测器,其中,一个完整的全硅光通信系统被形成,其能够借助于光强度变化传输电信号,这种强度然后被传播通过所述波导并被所述光学探测器探测;并被转换回电信号。 |
地址 |
南非比勒陀利亚 |