发明名称 |
一种基于宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括:衬底的清洗,薄膜的生长,电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜,选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料,以冰醋酸作溶剂,分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液,然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。 |
申请公布号 |
CN102544221A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201210019094.8 |
申请日期 |
2012.01.20 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
侯云;黄志明;高艳卿;吴敬;张雷博;周炜;张琰;褚君浩 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1).衬底的清洗:选择蓝宝石衬底,用常规的方法清洗,去除衬底表面的杂质和污物,然后烘干备用;2).薄膜的生长:采用专利ZL:200610030144.7中所述的湿化学法制备Mn‑Co‑Ni‑O薄膜,选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料,以冰醋酸作溶剂,分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液,然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料;先在蓝宝石衬底上生长导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2),在导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)上继续生长导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3),这样就制备出导电类型为p型和n型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜叠加结构,形成pn结;3).电极的制备:采用刻蚀工艺除去一部分导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)和导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3),其中导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)全部去除,导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)去除1/10‑2/3厚度,在露出的导电类型为n型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)上用掩模板保护,制备上一块导电层作为底电极(5);在导电类型为p型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)的部分膜面上用掩模板保护,制备上一块导电层作为顶电极(4)。 |
地址 |
200083 上海市虹口区玉田路500号 |