发明名称 |
一种内置电容及其制造方法 |
摘要 |
本发明适用于印制电路板领域,提供了一种内置电容及其制造方法,所述电容包括:下层电容电极;位于所述下层电容电极表面的介电层,所述介电层由介电材料采用喷墨打印技术喷印而成;位于所述介电层表面的导电种子层,所述导电种子层由导电靶材采用磁控溅射技术溅射而成;以及位于所述导电种子层表面的上层电容电极。本发明实施例采用喷墨打印技术喷印介电层,采用磁控溅射技术溅射导电种子层,提高了介电层的均匀度,降低了介电层的厚度,增强了介电层与电极间的结合力,从而减小了电容公差值,提高了内置电容的可靠性和比埋容值,工艺简单,满足高密度封装的需要。 |
申请公布号 |
CN102543426A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010611238.X |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
深南电路有限公司 |
发明人 |
刘德波;陈冲;彭勤卫;孔令文 |
分类号 |
H01G4/002(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I;H05K1/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/002(2006.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
一种内置电容,其特征在于,所述电容包括:下层电容电极;位于所述下层电容电极表面的介电层,所述介电层由介电材料喷印而成;位于所述介电层表面的导电种子层,所述导电种子层由导电靶材磁控溅射而成;以及位于所述导电种子层表面的上层电容电极。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区侨城东路99号 |