一种含有停止层的集成电路介电层结构

摘要

本发明公开了一种含有停止层的集成电路介电层结构，包括第一介电层、金属层和第二介电层；第一介电层上设置有第一金属导孔，第二介电层上设置有第二金属导孔，第一金属导孔和第二金属导孔形成堆叠金属导孔，其中，金属层与第二介电层之间设置有停止层，该停止层的材质不同于金属层和第二介电层的材质；或者，第二介电层内部设置有停止层，该停止层的材质不同于第二介电层中的其它材质。本发明设置有材质不同的停止层，利用其相同蚀刻工艺不同蚀刻速率的差异，来调节蚀刻深度，因此，本发明能够在保证金属导孔有足够过蚀刻量的前提下，有效减少金属导孔蚀刻的贯通量，进而能够避免后续溶剂清除过程中金属导孔钨栓塞被侵蚀，提高产品良率。

主权项

一种含有停止层的集成电路介电层结构，包括第一介电层，所述第一介电层上设置有金属层，所述金属层上设置有第二介电层；其中，所述第一介电层上设置有第一金属导孔，所述第二介电层上设置有第二金属导孔，所述第一金属导孔和第二金属导孔形成堆叠金属导孔，其特征在于，所述金属层与第二介电层之间设置有停止层，该停止层的材质不同于所述金属层和第二介电层的材质；或者，所述第二介电层内部设置有停止层，该停止层的材质不同于所述第二介电层中的其它材质。