双整定精确定位硅片圆心的方法

摘要

本发明涉及集成电路制造硅片处理技术，具体来说是一种双整定精确定位硅片圆心的方法。本发明将硅片沿圆心方向旋转，利用不同精度的线性图像识别传感器依次对硅片边缘进行识别，确认硅片平边或缺口位置，确定硅片圆心偏移量；通过双向移动电机将硅片移动，使硅片圆心和设计位置重合。从而，解决半导体行业工艺中硅片在加工设备中出现的传输误差，采用双整定的方法，使得整定后的精度达到1μm。

主权项

一种双整定精确定位硅片圆心的方法，其特征在于，通过低、高精度线性图像识别传感器对硅片边缘识别，确定硅片圆心来实现；将硅片放置于承片台上，真空吸附固定硅片，第一步沿旋转方向转动硅片，同时用低精度线性图像识别传感器对硅片边缘识别、检测；第二步计算硅片圆心，要求精度为100μm；移动双向电机和旋转电机将硅片移动到设计位置，第三步重复第一步，使硅片沿旋转方向转动，同时用高精度线性图像识别传感器对硅片边缘再次识别、检测；第四步再次计算硅片圆心，要求精度为1μm；移动双向电机和旋转电机将硅片移动到设计位置，方法结束；硅片匀速转动的时候在3个不同时刻测量3个值，以确定硅片边缘上3点的坐标，根据过3点有且只有一个圆，可确定并计算出硅片中心的坐标。