半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种能增加单元的有效面积，抑制不平衡动作等的半导体装置及其制造方法。涉及本发明的半导体装置具备：第1栅极布线(5)，经未被第1层间绝缘膜(8)覆盖的上表面与栅极电极(20)连接；第2层间绝缘膜(80)，覆盖第1栅极布线(5)的除上表面的一部分的区域，形成于第1层间绝缘膜(8)上；以及第2栅极布线(16)，经未被第2层间绝缘膜(80)覆盖的上表面与第1栅极布线(5)连接，在俯视时，第2栅极布线(16)的宽度比第1栅极布线(5)的宽度宽。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：栅极电极，与多个单元的单独栅极电极连接，在绝缘膜上有选择地形成；第1层间绝缘膜，覆盖所述栅极电极的除上表面的一部分的区域，形成于所述绝缘膜上；第1栅极布线，经未被所述第1层间绝缘膜覆盖的所述上表面与所述栅极电极连接；第2层间绝缘膜，覆盖所述第1栅极布线的除上表面的一部分的区域，形成于所述第1层间绝缘膜上；以及第2栅极布线，经未被所述第2层间绝缘膜覆盖的所述上表面与所述第1栅极布线连接，在俯视时，所述第2栅极布线的宽度比所述第1栅极布线的宽度宽。