| 发明名称 | 高热导率SiC基微波衰减材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高热导率SiC基微波衰减材料，该材料由W和两种具有不同电阻率的SiC组成，其中W的含量为0～15wt.％，具有低电阻率的SiC的含量为3～40wt.％，其余为具有高电阻率的SiC。其制备方法为：将纯度为高纯Si粉和C粉混合后进行烧结，改变烧结的气体气氛制得高纯SiC粉和掺杂N的SiC粉，将高纯SiC粉、掺杂N的SiC粉与W粉混合后在1900℃～2100℃、氩气气氛下热压烧结，热压的压力为20～100Mpa。然后将热压后的材料在2100～2200℃、1大气压的氩气气氛下热处理。该微波衰减材料在室温的热导率大于120W/m·K，在8-40GHz介电常数ε达到20以上，损耗角正切tgθ＞0.1。 | ||
| 申请公布号 | CN102531605A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010596428.9 | 申请日期 | 2010.12.20 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 杨志民;杨立文;董茜;毛昌辉 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 一种高热导率SiC基微波衰减材料，其特征在于，该材料由W和两种具有不同电阻率的SiC组成，其中W的含量为0～15wt.％，具有低电阻率的SiC的含量为3～40wt.％，电阻率为10‑2～102Ω·cm；其余为具有高电阻率的SiC，电阻率大于104Ω·cm。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||