发明名称 |
一种基于ZnO同质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,利用垂直生长于ITO衬基上的ZnO纳米棒阵列ZnO-NA作为模板,制备了以ZnO纳米棒为核ZnO量子点组成的多晶膜为无机修饰壳层的纳米棒阵列ZnO-NR-QD-NA,并通过有机物N719对ZnO-NR-QD-NA的修饰,获得了N719修饰的同质核壳结构纳米棒阵列ZnO-NR-QD-N719-NA,将聚合物与ZnO-NR-QD-N719-NA复合制成成品,电池的开路电压达到0.62V、短路电流为3.79mA/cm2及转换效率达到0.84%。与MEH-PPV/ZnO-NA电池相比,本发明电池的开路电压提高了88%,短路电流增加了192%及转换效率提高了425%。 |
申请公布号 |
CN102544378A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201110387893.6 |
申请日期 |
2011.11.30 |
申请人 |
中国科学院等离子体物理研究所 |
发明人 |
吴璠;王命泰 |
分类号 |
H01L51/46(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/46(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
余成俊 |
主权项 |
一种有机/无机杂化太阳电池,其特征在于:包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO纳米棒‑量子点同质核壳结构纳米棒阵列、ZnO纳米棒‑量子点同质核壳结构纳米棒外包覆的由ZnO量子点组成的壳层、ZnO纳米棒‑量子点同质核壳结构纳米棒阵列表面修饰的N719有机分子层、MEH‑PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池的阴极的Au膜层;所述的ITO层镀在玻璃衬基上作为电池的阳极,以垂直生长于ITO层之上的ZnO纳米棒‑量子点同质结构纳米棒阵列为电池的电子传输通道,用MEH‑PPV为光吸收材料且MEH‑PPV填充到ZnO纳米棒‑量子点同质核壳结构纳米棒的间隙之中,同时在ZnO纳米棒‑量子点同质核壳结构纳米棒阵列上方形成MEH‑PPV膜层,在MEH‑PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传输层,在空穴传输层上沉积Au膜作为电池的阴极。 |
地址 |
230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号 |