一种耿氏二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及微波器件中二极管技术领域，具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底，高掺杂下底面n+GaAs层，有源区n-GaAs层，nsGaAs层，GaAs本征下隔离层，AlxGa1-xAs本征势垒层，GaAs本征上隔离层，高掺杂上表面n+GaAs层。本发明提供的耿氏二极管能够有效减小有源区n-GaAs层中的死区，增加直流到射频信号转换效率和提高热稳定性，且可以利用直流电压直接对输出振荡频率和功率调谐；本发明提供的耿氏二极管的制备方法简便，易于实现单片集成。

主权项

一种耿氏二极管，其特征在于，所述耿氏二极管的外延片包括：半导体绝缘GaAs衬底，位于所述半导体绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂下底面n+GaAs层，位于所述高掺杂下底面n+GaAs层上外延生长的有源区n‑GaAs层，位于所述有源区n‑GaAs层上外延生长的nsGaAs层，位于所述nsGaAs层上外延生长的GaAs本征下隔离层，位于所述GaAs本征下隔离层上外延生长的Al摩尔含量线性梯度变化的AlxGa1‑xAs本征势垒层，位于所述AlxGa1‑xAs本征势垒层上外延生长的GaAs本征上隔离层，位于所述GaAs本征上隔离层上外延生长的高掺杂上表面n+GaAs层。