发明名称 具有用于线接合的局部化空腔的堆叠式半导体封装及其制造方法
摘要 本发明揭示一种制造半导体裸片及低轮廓半导体封装的方法。所述半导体封装可包含安装到衬底的至少第一及第二堆叠式半导体裸片。可将所述第一及/或第二半导体裸片制造为具有沿所述半导体裸片的侧边缘穿过所述半导体裸片的底表面的若干局部化空腔。侧中的所述一个或一个以上局部化空腔占据少于整个侧。因此,所述局部化空腔允许半导体裸片的低高度堆叠同时为每一裸片提供高程度的结构完整性,以防止所述裸片边缘在制造期间破裂或断裂。
申请公布号 CN101621012B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910151524.X 申请日期 2009.06.30
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 赫姆·塔基阿尔;什里卡·巴加斯;奇门·于;廖智清
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 刘国伟
主权项 一种制造半导体装置的方法,其包括以下步骤:(a)将第一半导体裸片附加到衬底;(b)对在邻近所述第一半导体裸片的侧的垫与位于所述衬底上的垫之间的导线进行线接合;(c)形成第二半导体裸片,所述第二半导体裸片包含位于所述第二半导体裸片的侧中且占据少于整个侧的局部化空腔;及(d)将所述第二半导体裸片附加在所述第一半导体裸片的顶部上,其中在所述步骤(b)中经线接合的所述导线定位于所述局部化空腔内。
地址 美国加利福尼亚州